ASML荷兰有限公司专利技术

ASML荷兰有限公司共有1443项专利

  • 描述了一种确定量测系统的优化操作参数设定的方法。执行自由形式晶片形状测量(304)。应用一模型(306),以将测得的翘曲变换成模型化翘曲缩放值(308)。将晶片夹持在光刻设备中的卡盘上,使得晶片变形。使用具有四个对准测量颜色的扫描仪对准...
  • 公开了一种测量系统,其中,第一光学系统将输入辐射束分隔成多个分量。调制器接收所述多个分量并以独立于所述多个分量中的至少一个其它分量的方式将调制施加至所述多个分量中的至少一个分量。第二光学系统利用所述多个分量照射目标并将被所述目标散射的辐...
  • 一种辐射分析系统,包括:目标,所述目标包括彼此分离的两个标记,所述目标被配置成在用辐射照射时经历热膨胀;位置测量系统,被配置为测量标记的间隔中的变化;以及处理器,被配置为使用所测量的标记的间隔中的变化来确定辐射的功率。
  • 本发明披露一种对器件制造过程的参数进行测量的方法。所述方法包括通过使用测量辐射照射衬底上的目标并且使用光学设备以检测由所述目标所散射的所述测量辐射来测量所述目标。所述目标包括具有第一周期性部件和第二周期性部件的目标结构。所述光学设备接收...
  • 一种用于控制由激光产生的等离子体(LPP)极紫外(EUV)光源产生的EUV辐射的剂量的方法和装置。每个激光脉冲被调制为具有被确定足以允许在激光源增益介质中提取适当均匀量的能量的宽度;在一些实施例中要被提取的适当均匀量的能量可以被选择以避...
  • 使用无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法,无掩模光刻曝光系统使用无掩模图案写入器,其中生成用于控制无掩模图案写入器曝光晶片以用于创建电子器件的束波控制数据。基于设计版图数据和选择数据生成束波控制数据,设计版图数据定义适用于要从晶片制造的...
  • 一种使用无掩模光刻曝光系统诸如带电粒子多束波光刻系统(301A?301D)创建电子器件诸如半导体芯片的方法。无掩模光刻曝光系统包括光刻子系统(316),光刻子系统包括无掩模图案写入器诸如带电粒子多束波光刻机(1)或电子束机器。方法包括在...
  • 一种方法,包括使用第一模型对多个不同量测目标测量选配方案中的每一个量测目标测量选配方案执行第一模拟,从多个量测目标测量选配方案中选择第一组量测目标测量选配方案,第一组量测目标测量选配方案满足第一规则,使用第二模型对来自第一组的每个量测目...
  • 估计离开声光材料的光束的波前;生成用于包括声光材料的声光系统的控制信号,该控制信号基于估计的光束的波前;以及将该控制信号施加到声光系统以生成在声光材料中传播的频率啁啾声波,该频率啁啾声波在声光材料中形成瞬态衍射元件,瞬态衍射元件和光束之...
  • 一种方法,包括:根据横跨衬底的测量数据,相对于表示拟合测得数据的数学模型的剩余不确定性的参数,对用于拟合测得数据的一个或多个数学模型和用于对数据进行测量的一个或多个测量采样方案进行评价;以及标识参数越过阈值的一个或多个数学模型和/或一个...
  • 一种光刻设备(LA)将图案施加于衬底(W)。所述光刻设备包括高度传感器(LS)、衬底定位子系统和控制器,所述控制器被配置成使高度传感器测量跨越衬底的部位处的衬底表面的高度(h)。所测量的高度用于控制施加到衬底的一个或更多个图案的聚焦。相...
  • 本发明公开一种测量与衬底上的结构相关的感兴趣的参数的方法及相关联的量测设备。所述方法包括确定校正以补偿测量条件对来自多个测量信号中的测量信号的作用,其中所述多个测量信号中的每个测量信号由在所述测量条件的不同变化下执行的对所述结构的不同测...
  • 在多个半导体晶片(900;1020)上执行一种光刻过程。所述方法包括选择一个或更多个晶片作为样本晶片(910?914;1030?1034)。仅在所选择的样本晶片上执行量测步骤(922;1042)。基于所选择的样本产品单元的量测结果(92...
  • 一种测量配置成保持生产衬底的衬底保持器的磨损的方法,该方法包括:将测量衬底夹持至所述衬底保持器;和测量所述测量衬底中的应变以产生测量结果。所述测量衬底可以包括:本体,具有与所述生产衬底的尺寸相似的尺寸;和在所述本体中的应变传感器,配置成...
  • 一种用于改善光刻过程的成品率的方法,所述方法包括:确定整个衬底的性能参数的参数指纹,所述参数指纹包括与所述性能参数的不确定性相关的信息;确定整个所述衬底的性能参数的过程窗口指纹,过程窗口与所述性能参数的可允许范围相关联;以及确定与所述性...
  • 一种用于将物体(300)移入和/或移出壳体的设备(900),例如用于掩模的支撑结构从光刻设备的壳体中移出。该设备包括第一引导机构(400),沿第一方向能够移动并且可旋转地连接到所述物体的第一部分;以及第二引导机构(500),沿第二方向能...
  • 一种用于优化图案化装置图案的方法,该方法包括:获得具有多个多边形的初始设计图案;使多边形中的至少一些多边形有效地彼此连接;将评估特征放置在多边形的边界之外;以及基于评估特征来创建跨越已连接的多边形的图案化装置图案。
  • 一种衬底处理设备包括:衬底装载装置,配置为在相对于与衬底上的场的布局相关联的栅格的预定方向上装载所述衬底;校正元件,配置为使得能够局部校正在衬底上执行的过程的特性;其的特点是所述校正元件被沿着具有除了与所述栅格的X轴或Y轴平行之外的方向...
  • 本发明提供一种选择衬底上用于测量或特征的部位的最优集合的方法,该方法包括:(302):限定约束条件,并且可选地限定成本函数。(306):限定部位的第一候选方案。(308):基于对所述第一候选方案的方案域中的坐标的修改,限定具有部位的第二...
  • 公开了一种确定与衬底上的光刻过程相关的过程参数的校正的方法和相关联的设备。所述光刻过程包括多次运行,在多次运行中的每一次运行期间将图案施加到一个或更多个衬底。所述方法包括获得用于描述所述衬底的属性的曝光前的量测数据;获得曝光后的量测数据...
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